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    驅動光耦繼電器最好的方法是什么?

    更新時間   2020-09-10 11:07:09 深圳市克里雅半導體有限公司 閱讀
    我正在設計一個智能插頭,使用ESP-32和一個機械繼電器,可以在240伏交流電下驅動5A。根據典型的繼電器驅動電路,我想在單片機和繼電器之間用一個光耦。根據數據表,我用的繼電器是松下(Panasonic)APAN3105,線圈功率低至110mW(5V@22mA)。
    典型的繼電器電流驅動電路使用一個連接到晶體管的光耦合器,晶體管反過來驅動繼電器。既然我用的是低線圈功率繼電器,我可以在集電極最大電流范圍內直接從光耦驅動繼電器嗎?這種方法有什么缺點?除了最大集電極電流,還必須考慮電流傳輸比(CTR)、最大LED電流和單片機的輸出驅動能力。
    好在ESP-32在最大驅動強度下有40mA的巨大輸出,這可能是必須的,因為標準光耦通常只有50%的最小CTR。為了保證集電極-發射極飽和電壓低,光耦的LED電流也要比IC/CTR高很多(幾乎兩倍)。
    比如光耦繼電器PC817XN的最小CTR為50%,絕對最大LED電流為50mA。沒有增加驅動電流以保持晶體管飽和的余地。既然CTR有50-600%的公差,你可以在樣機上放棄,但不能在生產中放棄。
    為了提高使用中的可靠性,你可能希望LED電流保持在25mA以下,然后希望最小CTR在200%左右。所以你應該用PC817X3(等級標志c)或者PC817X4(等級標志d)。
    對于大多數光耦合器繼電器/光耦合器組合,這是不可行的,因為許多繼電器需要比大多數光隔離器提供的50mA吸電流更多的電流。使用光隔離器驅動另一個NPN可以很好地工作,而不會增加太多成本。
    一般你要保證能從微控制器的LED獲得足夠的電流(考慮耦合器的CTR),但希望你在這個限度內。同樣,確保最大發射極電壓大于線圈電壓,但在5V時應該很容易。


    陳小姐:

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